リソグラフィフロアでは、ベーク温度の0.5°Cの変動がクリティカル寸法をナノメートル単位で移動させることを素早く理解することになる—これが多くのウェハがスクラップになる原因である。マイクロウェハ部品向けの短波長赤外線ヒーターは、その問題の根源に対処し、プロセスウィンドウ内で熱挙動を固定する。
技術的に重要なポイント
半導体の熱予算に合わせて調整された高速応答型クォーツエンベロープを持つ短波長赤外線エミッターを製造している。ベークゾーン全体でウェハレベルの均一性は±0.1°Cに維持されるため、フォトレジストの流動性や溶剤除去がロットごとに再現可能となる。ヒーターは低粒子放出でクリーンルームClass 1–100に適合。出力は5,000時間以上にわたり安定し、ドリフトは最小限である。
効果が発揮される理由
ソフトベークおよびハードベークは、マスクイメージを保持するフォトレジストのプロファイルを形成する。赤外線加熱により、急速かつ制御された温度立ち上がりが可能で、ベークステップが短縮されるとともにオーバーシュートが発生しない。これにより、CD制御の精度が向上し、エッチング工程でのスカム発生が軽減される。放熱効率が高く熱容量が低いため、エネルギー消費も低減される。
計画時に考慮すべき点
設置は装置の電圧、コネクタータイプ、開口寸法との適合が基本となる。加えて、エミッターをウェハの搬送経路に合わせて調整しなければ、目標とする均一性が失われる。赤外線システムは光学経路を清潔に保つ必要があり、遮蔽やウィンドウコーティングの有無によってスペクトルが変化し温度がずれるため注意が必要。±0.1°Cの仕様を維持するために定期的な校正を計画すること。