半導体加熱技術の未来

製造現場では、熱ドリフトは0.1度未満の単位で測定される。フォトレジストのベイク中に0.5℃の変動があれば、クリティカル寸法に影響を及ぼし、熱ゾーンの制御が緩いとウエハを損傷する粒子が侵入する。目標は最高温度を追うことではなく、熱エネルギーを高精度かつ再現性をもって制御することである。 技術的に重...