半导体加热技术的未来

在晶圆厂车间，热漂移以小数度计量。光刻胶烘烤过程中，0.5°C的温度波动即可影响关键尺寸，且热区控制不严会引入颗粒，导致晶圆损坏。目标不是追求峰值温度，而是实现热能的精确且可重复控制。 技术重点 我们设计的加热系统在整个工艺窗口内保持±0.1°C的晶圆级均匀性。近红外发射器（NIR...