Trên sàn lithography, bạn nhanh chóng nhận ra rằng sự dịch chuyển 0,5°C trong nhiệt độ nung sẽ làm thay đổi kích thước quan trọng ở mức nanomet — và đó là nguyên nhân khiến nhiều wafer bị loại bỏ. Bộ gia nhiệt hồng ngoại sóng ngắn cho các bộ phận wafer vi mô giải quyết vấn đề ngay tại nguồn, giữ hành vi nhiệt trong phạm vi quy trình.
Điều quan trọng về mặt kỹ thuật
Chúng tôi chế tạo bộ phát hồng ngoại sóng ngắn với vỏ thạch anh phản ứng nhanh, được điều chỉnh phù hợp với ngân sách nhiệt của chất bán dẫn. Trên vùng nung, độ đồng đều ở cấp wafer duy trì trong khoảng ±0,1°C, đảm bảo dòng chảy của photoresist và việc loại bỏ dung môi luôn có thể tái lập, lô này đến lô khác. Bộ gia nhiệt hoạt động với mức phát thải hạt thấp, phù hợp với phòng sạch cấp Class 1–100. Công suất đầu ra ổn định trong hơn 5.000 giờ, với sự dịch chuyển nhiệt tối thiểu.
Lý do phương pháp này hiệu quả tại điểm quan trọng
Soft bake và hard bake xác định cấu hình photoresist mang hình ảnh mặt nạ. Với gia nhiệt hồng ngoại, quá trình tăng nhiệt diễn ra nhanh và được kiểm soát — bước nung ngắn hơn, không vượt nhiệt. Kết quả là kiểm soát kích thước quan trọng chính xác hơn và giảm thiểu tạp chất xuất hiện trong bước ăn mòn. Mức tiêu thụ năng lượng cũng giảm vì bộ phát chuyển đổi điện năng thành nhiệt hiệu quả và khối nhiệt thấp.
Những điểm cần lưu ý khi lập kế hoạch
Việc lắp đặt phụ thuộc vào việc phù hợp điện áp của thiết bị, loại đầu nối và kích thước khe hở. Bạn cũng phải căn chỉnh bộ phát với đường đi của wafer — nếu không sẽ mất độ đồng đều cần thiết. Hệ thống hồng ngoại yêu cầu đường truyền quang sạch; bất kỳ vật chắn hay lớp phủ kính nào cũng có thể thay đổi phổ bước sóng và làm sai lệch nhiệt độ. Cần lên kế hoạch hiệu chuẩn định kỳ để duy trì tiêu chuẩn ±0,1°C.