<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Галогены on Immediate Infrared Heating Solutions</title>
		<link>http://ir-heater-now.com/ru/tags/%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D1%8B/</link>
		<description>Recent content in Галогены on Immediate Infrared Heating Solutions</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>ru</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 03 Jul 2026 03:01:40 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://ir-heater-now.com/ru/tags/%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D1%8B/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Кварцевый галогеновый инфракрасный излучатель</title>
				<link>http://ir-heater-now.com/ru/posts/quartz-halogen-infrared-emitter/</link>
				<pubDate>Fri, 03 Jul 2026 03:01:40 +0800</pubDate>
				<guid>http://ir-heater-now.com/ru/posts/quartz-halogen-infrared-emitter/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://ir-heater-now.com/images/0ea7296bcdd661f341d1983d454c4037.png&#34; alt=&#34;Кварцевый галогеновый инфракрасный излучатель&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;На этапе литографии даже небольшое отклонение в параметрах процесса Soft Bake в размере полуградуса может привести к сбоям в контроле критических размеров. Удаление растворителей из фоторезиста становится неравномерным, и затем процесс Hard Bake закрепляет эту ошибку. Тепловая однородность по всей площади пластины — это не дополнительный преимущество, а неотъемлемая часть процесса.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Что имеет значение с технической точки зрения:&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Кварцевые галогеновые инфракрасные излучатели обеспечивают быстрое передачу тепла именно туда, где это необходимо, при точном контроле спектра излучения. Их коротковолновый спектр излучения оптимален для эффективного поглощения света фоторезистом, что позволяет ускорить процесс обработки и сделать его предсказуемым. Мы достигаем однородности температуры ±0,1°C по всей площади пластины благодаря системе замкнутого контроля; время реакции составляет несколько миллисекунд.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
